基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法

摘要

一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓冲层上生长赝GaAs层；在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；在850nm激光器结构上面的赝GaAs接触层上刻蚀，形成脊条；在外延片的上表面及脊条的侧面生成二氧化硅绝缘层；在脊条的上面制作电极窗口；在二氧化硅绝缘层及电极窗口上制作钛铂金电极，减薄后，在衬底的背面制作金锗镍电极，完成激光器的制备。

主权项

一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；步骤2：将生长有第一缓冲层的衬底，立即放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在第一缓冲层上外延第二缓冲层；步骤4：在第二缓冲层上生长赝GaAs层；步骤5：采用MOCVD的方法，在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；步骤6：在850nm激光器结构上面的赝GaAs接触层上刻蚀，形成脊条；步骤7：在外延片的上表面及脊条的侧面生成二氧化硅绝缘层；步骤8：在脊条的上面制作电极窗口；步骤9：在二氧化硅绝缘层及电极窗口上制作钛铂金电极，减薄后，在衬底的背面制作金锗镍电极，完成激光器的制备。