发明名称 |
一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法 |
摘要 |
本发明涉及一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法。本装置是专门用于大投料量生长高寿命大直径N型硅单晶的热场装置。本装置为导流筒,包括导流内筒、隔热层及石墨导流外筒,隔热层置于导流内筒和石墨导流外筒之间,导流内筒的材质为高纯石英。针对热场的变化,工艺参数相应的进行调整,调整坩埚位置,使固液界面距离石墨导流外筒下沿的距离在25-35mm之间;将氩气流量调整在70-90slpm范围内。将炉内压力调整在10-15Torr范围内。采取本发明生长的N型硅单晶整体(含表面)少子寿命≥1000us,从而避免了金属杂质对硅单晶棒少子寿命的影响,使得拉制出的硅单晶边缘寿命低的问题得到彻底解决,为生产高效率N型硅太阳能电池提供高品质的单晶硅材料。 |
申请公布号 |
CN102560625A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210079838.5 |
申请日期 |
2012.03.23 |
申请人 |
内蒙古中环光伏材料有限公司 |
发明人 |
尚伟泽;高润飞;申霖;谷守伟;梁山;刘宇;王军磊;高树良;沈浩平 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
代理人 |
王凤英 |
主权项 |
一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置,其特征在于,所述装置为导流筒,包括导流内筒(1)、隔热层(2)及石墨导流外筒(3),隔热层(2)置于导流内筒(1)和石墨导流外筒(3)之间,所述导流内筒(1)的材质为高纯石英。 |
地址 |
010070 内蒙古自治区呼和浩特市金桥开发区工业二区宝力尔街 |