发明名称 一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法
摘要 本发明涉及一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法。本装置是专门用于大投料量生长高寿命大直径N型硅单晶的热场装置。本装置为导流筒,包括导流内筒、隔热层及石墨导流外筒,隔热层置于导流内筒和石墨导流外筒之间,导流内筒的材质为高纯石英。针对热场的变化,工艺参数相应的进行调整,调整坩埚位置,使固液界面距离石墨导流外筒下沿的距离在25-35mm之间;将氩气流量调整在70-90slpm范围内。将炉内压力调整在10-15Torr范围内。采取本发明生长的N型硅单晶整体(含表面)少子寿命≥1000us,从而避免了金属杂质对硅单晶棒少子寿命的影响,使得拉制出的硅单晶边缘寿命低的问题得到彻底解决,为生产高效率N型硅太阳能电池提供高品质的单晶硅材料。
申请公布号 CN102560625A 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN201210079838.5 申请日期 2012.03.23
申请人 内蒙古中环光伏材料有限公司 发明人 尚伟泽;高润飞;申霖;谷守伟;梁山;刘宇;王军磊;高树良;沈浩平
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人 王凤英
主权项 一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置,其特征在于,所述装置为导流筒,包括导流内筒(1)、隔热层(2)及石墨导流外筒(3),隔热层(2)置于导流内筒(1)和石墨导流外筒(3)之间,所述导流内筒(1)的材质为高纯石英。
地址 010070 内蒙古自治区呼和浩特市金桥开发区工业二区宝力尔街