发明名称 |
改进的同轴线结构 |
摘要 |
本发明提供一种改进的同轴线结构,其包含中心导体;包覆在中心导体外缘的绝缘层;包覆在绝缘层外缘的隔离层,其至少由第一导电材及第二导电材混合押出成型;以及包覆在隔离层外缘的外被。因此,本发明改进的同轴线结构,可利用包覆于绝缘层外缘的隔离层,取代现有技术中同轴线的编织层,而达到提升制作效率、减少材料用量以及遮蔽效果较佳的功能。 |
申请公布号 |
CN102568674A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010621580.8 |
申请日期 |
2010.12.27 |
申请人 |
擎曜科技股份有限公司 |
发明人 |
邱庆阳 |
分类号 |
H01B7/17(2006.01)I;H01B5/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B1/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01B7/17(2006.01)I |
代理机构 |
北京市浩天知识产权代理事务所 11276 |
代理人 |
刘云贵 |
主权项 |
一种改进的同轴线结构,其特征在于,包含:中心导体;绝缘层,包覆于中心导体的外缘;隔离层,包覆于绝缘层的外缘,其至少由第一导电材及第二导电材混合押出成型;以及外被,包覆于隔离层的外缘。 |
地址 |
中国台湾台北市 |