局部曝光方法和局部曝光装置

摘要

本发明提供一种能提高显影处理后的抗蚀残膜的均匀性并抑制配线图案的线宽和间距的参差不齐的局部曝光方法，其包括：将在被处理基板形成的感光膜分割为多个大区块，并将上述大区块分割为多个小区块的步骤；对上述大区块内的每个小区块，分等级地设定不同的照射照度的步骤；对相对于多个发光元件相对地移动的上述基板的感光膜，根据对每个上述小区块设定的照射照度，进行上述发光元件的发光控制的步骤；对上述感光膜进行显影处理的步骤；对每个上述小区块，测量上述感光膜的剩余膜厚，并取得在上述小区块设定的照度和剩余膜厚的相关数据的步骤；和根据上述相关数据从对每个上述大区块设定的感光膜的目标剩余膜厚求得对各大区块照射的必要照度的步骤。

主权项

一种局部曝光方法，是将在基板上形成的感光膜分割为多个大区块，在排列为线状的多个发光元件的下方，使所述基板在与该排列方向交叉的方向上相对地移动，根据对每个所述大区块预先设定的照度，对所述多个发光元件选择性地进行发光控制，由此局部地实施曝光处理的局部曝光方法，其特征在于，包括：将所述大区块分割为多个小区块的步骤；对所述大区块内的每个小区块，分等级地设定不同的照射照度的步骤；对相对于所述多个发光元件相对地移动的所述基板的感光膜，根据对每个所述小区块设定的照射照度，进行所述发光元件的发光控制的步骤；对通过所述发光元件的照射而被曝光处理的感光膜进行显影处理的步骤；对进行过所述显影处理的每个小区块，测量所述感光膜的剩余膜厚，并取得在所述小区块设定的照度和剩余膜厚的相关数据的步骤；和根据所述相关数据，从对每个所述大区块设定的感光膜的目标剩余膜厚，求得对各大区块进行照射的必要照度的步骤。