| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。目的是提供一种新颖半导体器件，其中甚至在数据存储时间没有提供电力时也能够存储数据，并且没有对写操作数量的限制。该半导体器件包括晶体管和电容器。晶体管包括第一氧化物半导体层、与第一氧化物半导体层接触的源电极和漏电极、与第一氧化物半导体层重叠的栅电极以及第一氧化物半导体层与栅电极之间的栅绝缘层。电容器包括源电极或漏电极、与源电极或漏电极接触的第二氧化物半导体层以及与第二氧化物半导体层接触的电容器电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102569402A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110462046.1 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;卢江 |
| 主权项 | 一种电容器，包括：第一电极；第二电极；以及氧化物半导体层，其介于所述第一电极与第二电极之间并且与所述第一电极和第二电极接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||