| 发明名称 | 具有梯级结构凸起的结构的半导体芯片 | ||
| 摘要 | 披露了各种半导体芯片输入/输出结构以及其制造方法。在一方面，提供了制造方法，其包括在半导体芯片的第一面上形成第一导体结构以及形成与该第一导体结构电接触的第二导体结构。该第二导体结构适于联接到焊料结构并且包括具有至少两个踏板的梯级结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102576683A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080040036.2 | 申请日期 | 2010.09.09 |
| 申请人 | ATI科技无限责任公司 | 发明人 | 罗登·R·托帕西奥;易普·森·罗 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H05K13/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种制造方法，其包括：在半导体芯片的第一面上形成第一导体结构；以及形成第二导体结构，所述第二导体结构与所述第一导体结构电接触，并且适于联接到焊料结构，所述第二导体结构包括具有至少两个踏板的梯级结构。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省 | ||