| 发明名称 | 具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，所述的PMOS管的源极与SET的源极相连，SET的栅极则与PMOS管的漏极相连，该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds|<e/CΣ，其中，CΣ为总电容，e为元电荷。本发明主要是利用SET的库仑阻塞和库仑振荡特性与传统的CMOS相结合，产生具有nA级电流的NDR特性。与传统的共振隧穿二极管（RTD）相比，本发明采用的单电子晶体管和MOS管，与当前集成电路工艺的兼容性更好；而与具有NDR特性的MOS管组成的电路相比，本发明仅仅使用了两个晶体管，因此具有更小的电路面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102571068A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201210047925.2 | 申请日期 | 2012.02.29 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 |
| 分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，其特征在于：包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，其中单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成，外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市铜盘路软件大道89号软件园A区31号楼五层 | ||