去边宽度检测方法

摘要

本发明公开了一种去边宽度检测方法，该方法包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。本发明还提供了另一种去边宽度检测方法。通过本发明所提供的方法，能够精确检测出晶片边缘的去边宽度；且使用范围不受限制。

主权项

一种去边宽度检测方法，其特征在于，包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。