| 发明名称 | III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 | ||
| 摘要 | 在半导体器件100中，通过使前表面10a具有特定的面取向，并且表面层12中存在以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物及以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，可以抑制在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处堆积C。因此，抑制了在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处形成高电阻率层。因此，可以提高半导体器件100的发光强度。 | ||
| 申请公布号 | CN102576787A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080043216.6 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件中的III族氮化物半导体衬底，其包含在所述III族氮化物半导体衬底前表面上的表面层，其中所述表面层包含以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，并且所述前表面的法线轴相对于c轴的倾斜角为10°至81°。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||