| 发明名称 | MOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺，从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。本发明中的MOS晶体管的制作方法，通过自对准硅化物工艺前对源漏区的衬底进行预非晶化处理，之后进行自对准硅化物工艺，这样可以在源漏区形成超薄的低阻多晶金属硅化物，而不是超薄的高阻外延单晶金属硅化物，因此能够有效降低源/漏寄生电阻，明显改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102569087A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010612589.2 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;钟汇才 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物工艺，从而形成超薄的低阻多晶金属硅化物作为源区和漏区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||