发明名称 | 一种厚膜光刻胶清洗液 | ||
摘要 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有:氢氧化钾、溶剂、醇胺、有机酚、苯甲酸及其衍生物或其盐类以及聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物,同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN102566332A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
申请号 | CN201010620005.6 | 申请日期 | 2010.12.30 |
申请人 | 安集微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修;孙广胜 |
分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
主权项 | 一种厚膜光刻胶清洗液,该清洗液含有:氢氧化钾、溶剂、醇胺、有机酚、苯甲酸及其衍生物或其盐类以及聚羧酸类缓蚀剂。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 |