发明名称 有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器
摘要 本发明提供一种有机半导体元件,具有:基板;形成在上述基板上的源电极及漏电极;形成在上述源电极及上述漏电极上,由绝缘性材料构成,并且按照由上述源电极及上述漏电极构成的沟道区域上成为开口部的方式形成,且具备作为层间绝缘层的功能的绝缘性分隔部;在上述绝缘性分隔部的开口部内,且形成在上述源电极及上述漏电极上,由有机半导体材料构成的有机半导体层;形成在上述有机半导体层上,由绝缘性树脂材料构成的栅极绝缘层;和形成在上述栅极绝缘层上的栅电极;上述绝缘性分隔部的高度在0.1μm~1.5μm的范围内。从而,可提供具备晶体管性能良好的有机半导体晶体管,且能够以高生产率制造的有机半导体元件。
申请公布号 CN101154712B 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN200710154385.7 申请日期 2007.09.26
申请人 大日本印刷株式会社 发明人 本多浩之;松冈雅尚;永江充孝;小林弘典
分类号 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 樊建中
主权项 一种有机半导体元件,具有:基板;形成在所述基板上的栅电极;形成在所述栅电极上,由绝缘性材料构成,具备开口部,并且具备作为层间绝缘层的功能的绝缘性分隔部;在所述绝缘性分隔部的开口部内,且形成在所述栅电极上,由绝缘性树脂材料构成的栅极绝缘层;在所述绝缘性分隔部的开口部内,且形成在所述栅极绝缘层上,由有机半导体材料构成的有机半导体层;和形成在所述有机半导体层上的源电极及漏电极;所述绝缘性分隔部的高度在0.1μm~1.5μm的范围内。
地址 日本国东京都