低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法

摘要

本发明属于耐火材料技术，提出一种低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法。该方法以SiC颗粒和细粉、SiO2细粉、Si粉为原料，将各种原料和结合剂混练后、成型、干燥后，采用硅溶胶溶液对坯体进行至少1次的真空浸渗处理；坯体最终烧成温度范围为1100℃～1250℃，可制得高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料。本发明最高烧成温度比当前SiO2结合碳化硅材料烧成温度低100～500℃，可明显降低材料的烧成能耗。本发明制备的材料具有优良的理化性能：SiC含量85～95％、体积密度2.65～2.82g/cm3、1400℃的高温抗折强度达40～52MPa，材料最高使用温度可达1550℃，可用作陶瓷窑具以及锌熔练炉、垃圾焚烧炉等各种工业窑炉炉衬，具有良好的应用效果。

主权项

一种低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法，所采用的原料为SiC颗粒、SiC细粉和SiO2细粉，生产工艺过程包括：配料、混练、成型、干燥、烧成工序，其特征在于：采用硅溶胶溶液对烧成前的坯体进行至少1次真空浸渗处理；坯体的烧成温度范围为1100℃～1250℃。