| 发明名称 | 一种沟槽栅结型场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽栅结型场效应晶体管(JFET)，该沟槽栅JFET包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，位于衬底上方，具有第一掺杂类型；至少两个沟槽，位于外延层中；源极区，具有第一掺杂类型，位于外延层上方并在相邻沟槽顶部之间延伸；以及源极金属层，位于该源极区的上方。该沟槽栅JFET还包括：多晶硅栅极区，位于沟槽底部，具有第二掺杂类型；层间介电层，位于沟槽中多晶硅栅极区的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN202332859U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120409928.7 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 李铁生;奥格涅·米力克;张磊 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 沟槽栅结型场效应晶体管，其特征在于包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，位于衬底上方，具有第一掺杂类型；至少两个沟槽，位于外延层中；多晶硅栅极区，位于沟槽底部，具有第二掺杂类型；层间介电层，位于沟槽中多晶硅栅极区的上方；源极区，具有第一掺杂类型，位于外延层上方并在相邻沟槽顶部之间延伸；以及源极金属层，位于该源极区的上方。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区科新路8号 | ||