| 发明名称 | MOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种MOS器件及其制造方法，所述器件包括：阱区位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区；所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。本发明实施例所提供的技术方案中，能够有效的减少高低压栅氧交界区对器件空间的占用，进而可以减小器件的间距，实现在相同的晶片面积中制造更多的器件，提高器件的生产效率和集成度，降低器件的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102569389A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010603672.3 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 金炎 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种MOS器件，包括：阱区、位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区，其特征在于：所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||