| 发明名称 | 基于氮化物的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本文公开了一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法。该基于氮化物的半导体器件包括：基底；设置在基底上并且在其内部产生二维电子气的外延生长层；以及设置在外延生长层上的电极结构。其中，该电极结构包括：栅极；设置在栅极的一侧的源极；以及设置在栅极的另一侧并具有延伸至外延生长层的内部以接触二维电子气的延伸部的漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN102569423A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110319165.1 | 申请日期 | 2011.10.19 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 朴基烈;全祐徹;朴永焕 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；外延生长层，设置在所述基底上，并且在其内部产生二维电子气；以及电极结构，设置在所述外延生长层上，其中，所述电极结构包括：栅极；源极，设置在所述栅极的一侧；以及漏极，设置在所述栅极的另一侧，并具有延伸至所述外延生长层的内部以接触所述二维电子气的延伸部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||