| 发明名称 | 形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法 | ||
| 摘要 | 将反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物用作用于形成超低介电层的模板衍生物。由其末端含有Si-H的反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物形成层，然后将所述层在过氧化氢气氛中固化以形成超低介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102558266A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110359388.0 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 闵成圭;具滋春;安尚太;丁彩吾;安贤珠;李孝硕;金银贞;金赞培 |
| 分类号 | C07H23/00(2006.01)I;C07H1/00(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | C07H23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 金拟粲 |
| 主权项 | 1.一种用于形成超低介电层的模板衍生物，其由通过下式表示的葡萄糖衍生物构成：<img file="FDA0000108023640000011.GIF" wi="637" he="431" />其中，在所述式中，R表示(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-SiH<sub>3</sub>，n表示1-3的整数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||