一种高频率选择性的射频前端集成电路结构

摘要

本发明涉及一种具备高三阶谐波抑制能力和高频率选择性射频的前端集成电路结构，包括低噪声放大器和下变频混频器，所述低噪声放大器输入端连接天线和匹配网络，输出端连接负载网络和下变频混频器，所述匹配网络和负载网络电路均为高Q值带通电路。由于匹配网络和负载网络的高Q带通特性，使得整个射频前端具备良好的频率选择性和干扰抑制能力。对于调整前端的增益或带宽，仅需改变匹配网络或负载网络的基带阻抗的实部或虚部，亦即电阻或电容的值即可，性能指标配置灵活。整个前端频率选择性高，对于增益和带宽可随实际需求而灵活配置，大幅度节约芯片以及相应片外配套元件的成本。

主权项

一种射频前端集成电路结构，包括低噪声放大器和下变频混频器，所述低噪声放大器输入端连接天线和匹配网络，输出端连接负载网络和下变频混频器，其特征在于，所述匹配网络和负载网络电路均为高Q值带通电路。