半导体构造、形成电容器的方法及形成DRAM阵列的方法

摘要

一些实施例包括形成电容器的方法。可形成电容器的第一区以包括第一存储节点、第一电介质材料及第一板材料。可形成所述电容器的第二区以包括第二存储节点、第二电介质材料及第二板材料。可将所述第一及第二区形成于存储器阵列区域上，且可分别将所述第一及第二板材料电连接到第一及第二互连件，所述第一及第二互连件延伸到位于所述存储器阵列区域外围的区域上。可将所述第一与第二互连件彼此电连接，以将所述第一与第二板材料彼此耦合。一些实施例包括电容器结构，且一些实施例包括形成DRAM阵列的方法。

主权项

一种形成电容器的方法，其包含：将所述电容器的第一区形成于半导体衬底的存储器阵列区域上；所述第一区包含对应于第一粗支柱的第一电容器存储节点、位于所述第一电容器存储节点上的第一电介质材料及位于所述第一电介质材料上的第一电容器外部电极材料；将所述第一电容器外部电极材料电连接到第一导电互连件，所述第一导电互连件位于所述半导体衬底的在所述存储器阵列区域外围的互连区域上；将所述电容器的第二区形成于所述电容器的所述第一区上；所述第二区包含对应于第二粗支柱的第二电容器存储节点、位于所述第二电容器存储节点上的第二电介质材料及位于所述第二电介质材料上的第二电容器外部电极材料；所述第二电容器存储节点通过形成在所述第一和第二粗支柱之间的导电的窄颈部与所述第一电容器存储节点电接触；将所述第二电容器外部电极材料电连接到第二导电互连件，所述第二导电互连件位于所述互连区域上；将所述第一与第二导电互连件彼此电连接，以将所述第一与第二电容器外部电极材料彼此电耦合；其中所述第一电介质材料沿着所述第一粗支柱且不沿着所述第二粗支柱；其中所述第二电介质材料沿着所述第二粗支柱且不沿着所述第一粗支柱；其中所述第一电容器外部电极材料沿着所述第一粗支柱且不沿着所述第二粗支柱；以及其中所述第二电容器外部电极材料沿着所述第二粗支柱且不沿着所述第一粗支柱。