| 发明名称 | 低插损铁氧体微波器件 | ||
| 摘要 | 一种低插损铁氧体微波器件，涉及微波器件技术领域，所解决的技术问题是降低插损。该低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于：所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层，金属银涂层的厚度为0.002±0.0005mm。本实用新型的积极效果是：在铁氧体表面薄薄涂覆一层厚度为0.002±0.0005mm金属银涂层，能将插损降至0.2dB以下，远低于现有铁氧体微波器件。 | ||
| 申请公布号 | CN202333101U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120510859.9 | 申请日期 | 2011.12.09 |
| 申请人 | 捷考奥电子（上海）有限公司 | 发明人 | 黄宁;朱洁文 |
| 分类号 | H01P1/36(2006.01)I;H01P1/38(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 俞宗耀 |
| 主权项 | 一种低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于：所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。 | ||
| 地址 | 201108 上海市闵行区景联路439号2号楼5楼 | ||