| 发明名称 | 衬底、外延片及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层表面设置有多晶硅层；多晶硅层表面设置有第二多晶硅层。本实用新型的另一个优点是能够提高外延片的平坦度，且可提高外延层的电阻率均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN202332857U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120375288.2 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 发明人 | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层表面设置有多晶硅层；多晶硅层表面设置有第二多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201707 上海市青浦区北青公路8228号二区48号 | ||