| 发明名称 | 一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区连接有第一电容，第一电容的另一端与第一金属电极相连；第二N+有源注入区连接有第二电容，第二电容的另一端与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用电容作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102569295A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201210060501.X | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 郑剑锋;韩雁;马飞;董树荣;吴健;苗萌;曾杰 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，其特征在于，包括：P衬底层(10)；所述的P衬底层(10)上从左到右依次设有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22)，所述的P阱(23)与第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相连；所述的第一N阱(21)上从左到右依次并排设有第一N+有源注入区(41)、第一P+有源注入区(51)和第二N+有源注入区(42)；所述的第二N阱(22)上从左到右依次并排设有第三N+有源注入区(43)、第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)；所述的第一N+有源注入区(41)和第一P+有源注入区(51)通过第一金属电极(61)相连，所述的第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)通过第二金属电极(62)相连；所述的第三N+有源注入区(43)连接有第一电容，所述的第一电容的另一端与第一金属电极(61)相连；所述的第二N+有源注入区(42)连接有第二电容，所述的第二电容的另一端与第二金属电极(62)相连。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||