| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件包括：化合物半导体层；第一膜，形成在化合物半导体层的上方，第一膜在与化合物半导体层的界面处处于带负电状态或非带电状态；第二膜，形成在第一膜的上方，第二膜在与第一膜的界面处处于带正电状态；以及栅极，被嵌入在第二膜中形成的开口中。 | ||
| 申请公布号 | CN102569377A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110402797.4 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 金村雅仁;吉川俊英;今西健治 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 刘晓飞;张龙哺 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；第一膜，形成在所述化合物半导体层的上方，所述第一膜在与所述化合物半导体层的界面处处于带负电状态或非带电状态；第二膜，形成在所述第一膜的上方，所述第二膜在与所述第一膜的界面处处于带正电状态；以及栅极，被嵌入在所述第二膜中形成的开口中。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||