发明名称 |
静态随机存储器的制造方法 |
摘要 |
一种静态随机存储器的制造方法,所述静态随机存储器同时包含NMOS器件和PMOS器件,本发明通过在PMOS器件源/漏轻掺杂离子注入之后湿法清洗静态随机存储器中NMOS器件和PMOS器件的侧壁间隙壁,使得湿法清洗之后形成的NMOS器件源/漏轻掺杂区之间的距离减小,改善NMOS器件的电性,使之与静态随机存储器中PMOS器件电性相匹配,提高了所制造静态随机存储器的良品率。 |
申请公布号 |
CN102569202A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010593192.3 |
申请日期 |
2010.12.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
刘焕新;宋伟基 |
分类号 |
H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8244(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种静态随机存储器的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包含NMOS器件区和PMOS器件区,所述NMOS器件区和PMOS器件区上分别形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构,所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧形成有侧壁间隙壁;以PMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模,在PMOS器件区进行P型轻掺杂离子注入;湿法清洗所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧的侧壁间隙壁;以NMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模,在NMOS器件区进行N型轻掺杂离子注入。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |