发明名称 |
一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法 |
摘要 |
本发明提供一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法,包括步骤:第一步,设定研磨垫使用寿命T;第二步,计算研磨垫实际研磨时间T′;第三步,当T′=T时,更换研磨垫,所述实际研磨时间T′=(T1*N1*R1+T2*N2*R2+......+Tn*Nn*Rn)*Nx*Rx,其中T1,T2,......,Tn分别代表各晶片的研磨时间,N1,N2,......,Nn分别代表各晶片研磨时的压力,R1,R2,......,Rn分别代表各晶片研磨时的转速,Nx代表压力影响因子,Rx代表转速影响因子。本发明将晶片研磨中的压力和转速这两个因素引入到研磨垫实际使用时间的计算当中,从而对研磨垫的使用寿命掌控的更加科学合理,如此可避免提前更换研磨垫而造成的浪费,也可避免未及时更换研磨垫而造成的产品不良。 |
申请公布号 |
CN102567597A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010578008.8 |
申请日期 |
2010.12.08 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
李健;胡骏 |
分类号 |
G06F19/00(2011.01)I |
主分类号 |
G06F19/00(2011.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法,包括步骤:第一步,设定研磨垫使用寿命T;第二步,计算研磨垫实际研磨时间T′;第三步,当T′=T时,更换研磨垫,其特征在于:所述实际研磨时间T′=(T1*N1*R1+T2*N2*R2+......+Tn*Nn*Rn)*Nx*Rx,其中T1,T2,......,Tn分别代表各晶片的研磨时间,N1,N2,......,Nn分别代表各晶片研磨时的压力,R1,R2,......,Rn分别代表各晶片研磨时的转速,Nx代表压力影响因子,Rx代表转速影响因子。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |