发明名称 |
薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管设置在一基材上,包含有闸极、闸介电层、图案化半导体层、源极、覆盖有防蚀导电层的汲极、图案化保护层与透明导电层。防蚀导电层含有氧化铟锡或氧化铟锌,用以防止在蚀刻保护层制程中对汲极造成过蚀刻。在此亦提供一种薄膜晶体管的制造方法。 |
申请公布号 |
CN102569416A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210033728.5 |
申请日期 |
2012.02.15 |
申请人 |
华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
李一帆;锺享显 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,包含:一闸极,位于一基材上;一闸介电层,覆盖该闸极;一图案化半导体层,位于该闸介电层上;一源极及一汲极,位于该图案化半导体层上;一防蚀导电层,位于该汲极的一上表面;一图案化保护层,覆盖该源极、该防蚀导电层及该图案化半导体层,该图案化保护层具有一接触窗露出该防蚀导电层的一部分;以及一透明导电层,位于该图案化保护层上,且该透明导电层经由该接触窗接触该防蚀导电层的该部分。 |
地址 |
350015 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号 |