发明名称 |
薄膜晶体管及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法,该薄膜晶体管包括一基板、一闸极、一闸极绝缘层、一氧化物半导体层、一保护层、一源极以及一汲极。闸极、闸极绝缘层以及氧化物半导体层依序设置于基板上。保护层设置于氧化物半导体层上,且保护层的侧边与氧化物半导体层的侧边切齐。源极与汲极设置于保护层上方。该薄膜晶体管的制作方法的步骤为:提供一基板,且形成一闸极于基板上。接着,形成一闸极绝缘层于闸极上,且形成一氧化物半导体层全面性覆盖闸极绝缘层。随后,形成一保护层全面性覆盖氧化物半导体层。图案化保护层以及氧化物半导体层,使保护层的侧边与氧化物半导体层的侧边切齐。 |
申请公布号 |
CN102569417A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210053150.X |
申请日期 |
2012.03.02 |
申请人 |
福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
张锡明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:一基板;一闸极,设置于该基板上;一闸极绝缘层,设置于该闸极上;一氧化物半导体层,设置于该闸极绝缘层上;一保护层,包括一第一保护层与一第二保护层依序设置于该氧化物半导体层上,且该保护层的侧边与该氧化物半导体层的侧边切齐;以及一源极与一汲极,设置于该保护层上方。 |
地址 |
350015 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号 |