| 发明名称 | 用于制造具有埋腔的MEMS器件的方法以及由此获得的MEMS器件 | ||
| 摘要 | 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102574676A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080045056.9 | 申请日期 | 2010.08.05 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | P·科罗纳;S·洛萨;I·格尔米;R·卡姆佩德利 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种用于制造MEMS器件的方法，包括以下步骤：形成第一材料的底部区域(4b)；在所述底部区域上形成与所述第一材料不同的、第二材料的牺牲区域(5a)；在所述牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；蚀刻所述薄膜区域，直至所述牺牲区域，以便形成沟槽(15)，每个沟槽(15)具有由所述薄膜区域定界的侧壁和由所述牺牲区域定界的底部；利用多孔材料层(16)完全和保形地覆盖所述沟槽的所述侧壁和所述底部；通过所述多孔材料层选择性地移除所述牺牲区域的至少一部分，以形成空腔(18)；以及利用填充材料(20a)填充所述沟槽。 | ||
| 地址 | 意大利阿格拉布里安扎 | ||