用于覆盖标记的结构和方法

摘要

描述了覆盖标记及其制造方法。在一个实施例中，半导体覆盖结构包括：栅叠层结构，形成在半导体衬底上方并被配置作为覆盖标记；以及掺杂半导体衬底，设置在栅叠层结构的两侧，至少包括与器件区域中的栅叠层结构相邻的半导体衬底一样多的掺杂物。通过至少三次离子注入步骤形成掺杂半导体衬底。本发明还提供了一种用于覆盖标记的结构和方法。

主权项

一种用于处理半导体衬底的方法，所述半导体衬底包括器件区域和覆盖区域，所述方法包括：对所述器件区域和所述覆盖区域内的所述半导体衬底实施第一离子注入；形成所述器件区域中的第一多晶硅栅叠层和所述覆盖区域中的第二多晶硅栅叠层；对所述半导体衬底实施第二离子注入；对所述半导体衬底实施第三离子注入；以及用金属栅叠层替换所述第一多晶硅栅叠层和所述第二多晶硅栅叠层；其中，针对所述覆盖区域内的所述半导体衬底的总硼离子注入剂量大于约2×1015个离子/cm2。