半导体存储装置及其编程方法

摘要

根据本发明的半导体存储装置具有储存单元，该储存单元包括：层间绝缘膜、嵌入到层间绝缘膜中的下电极层、以及设置在层间绝缘膜上的记录层和上电极层。当向储存单元传送预定的电流时，通过大体上超过熔点来加热记录层，并且在记录层和下电极层之间的界面附近形成腔体。结果，将记录层与下电极层物理分离，并且没有电流流过储存单元。当将记录层与下电极层物理分离时，这些层不会再次回到接触状态。因此，可以不可逆地存储信息。

主权项

一种半导体存储装置，包括：储存单元以及非易失性存储元件，所述储存单元和非易失性存储元件各自均具有记录层和电极层，其中，所述记录层包括其电阻可以可逆改变的可变电阻材料，所述电极层与所述记录层接触；写入电路，通过使电流流经所述储存单元而将构成所述储存单元的所述记录层与所述电极层物理分离；以及检测电路，通过对所述储存单元施加电压来检测构成所述储存单元的所述记录层和所述电极层之间的连接状态，构成所述储存单元的所述记录层与所述电极层之间的接触面积，比构成所述非易失性存储元件的所述记录层与所述电极层之间的接触面积大。