| 发明名称 | 一种用于PECVD多点进气多区可调装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型属于涉及微电子技术领域，特别涉及一种用于PECVD带有可以提高大面积镀膜均匀性的多点进气多区可调装置。包括排气区体、进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口，其中进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口均布置在排气区体上。具有该多点进气多区可调装置的PECVD能够一次处理多个电池片，该装置可以提高SiN膜层厚度的均匀性，从而具有较高的产能，提高了PECVD设备的生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN202323019U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120447596.1 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明人 | 赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 白振宇 |
| 主权项 | 一种用于PECVD多点进气多区可调装置，其特征在于：包括排气区体、进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6)，其中进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6)均布置在排气区体上。 | ||
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号 | ||