一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法

摘要

本发明公开了一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，主要包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。根据该技术方案能够准确地调节VTP以及VTN，并且节约了工艺成本。

主权项

一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，其特征在于，包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP的要求为0.8V，将通过实验获取的经验值2.2E11 ion/cm^2确定为硼离子的注入剂量，并根据在硅片上生成的栅氧层厚度为1000埃，确定所述硼离子的注入能量为50Kev，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行硼离子注入；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN的要求为‑0.7V以及所述硼离子的注入剂量为2.2E11 ion/cm^2以及所述硼离子的注入能量为50Kev，将通过实验获取的经验值1.4E11ion/cm^2确定为磷离子的注入剂量，根据在硅片上生成的栅氧层厚度为1000埃，确定所述磷离子的注入能量为100Kev，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过硼离子注入的硅片进行光刻以及磷离子注入。