| 发明名称 | 存储器的制造方法、存储器 | ||
| 摘要 | 一种存储器的制造方法、存储器，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底上形成衬底外延层；对所述衬底外延层以及位于衬底外延层下的衬底进行掺杂，形成位线；在所述位线上形成绝缘层、在所述绝缘层和栅极结构上形成字线。所述存储器包括：衬底，依次位于衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧衬底上的衬底外延层，形成于所述衬底外延层和衬底中的掺杂区，位于所述衬底外延层上的绝缘层，覆盖于所述绝缘层和栅极结构上的字线。本发明减小了位线电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102569204A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010620995.3 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐伟中;陈福刚 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底上形成衬底外延层；对所述衬底外延层以及位于衬底外延层下的衬底进行掺杂，形成位线；在所述位线上形成绝缘层、在所述绝缘层和栅极结构上形成字线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||