| 发明名称 | 具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有替代栅电极层，以及覆盖所述替代栅电极层的覆盖层；形成覆盖所述半导体衬底和覆盖层的层间介质层；对所述层间介质层进行第一步研磨处理，直至暴露覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分；向所述层间介质层注入氮离子，注入深度大于覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分的厚度；对所述层间介质层和覆盖层进行第二步研磨处理，直至暴露所述替代栅电极层；湿法去除替代栅电极层；形成金属栅。通过本发明所提供的具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法可以提高具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102569083A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010604745.0 | 申请日期 | 2010.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 蒋莉;黎铭琦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有替代栅电极层，以及覆盖所述替代栅电极层的覆盖层；形成覆盖所述半导体衬底，且与覆盖层位于所述替代栅电极层顶部的部分齐平的层间介质层；向所述层间介质层和覆盖层注入氮离子，注入深度大于覆盖层位于替代栅电极层顶部的部分的厚度；对所述层间介质层和覆盖层进行研磨处理，直至暴露所述替代栅电极层；去除替代栅电极层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||