| 发明名称 | 沟槽MOSFET器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法。所述沟槽MOSFET器件包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。本发明所提供的沟槽MOSFET器件，由于其外延层中的第一沟槽为梳状沟槽，而梳状沟槽所具有的弯曲结构能明显增加沟道宽度，从而可减小沟道电阻，进一步可减小导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102569384A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010593571.2 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王加坤 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||