薄层沉积方法

摘要

本发明涉及用于获得一种基材的方法，这种基材在它的至少一部分表面上涂覆有至少一个金属M的氧化物层，该氧化物层的物理厚度小于或等于30nm，所述氧化物层不被包括在含至少一个银层的层堆叠体中。所述方法包括以下步骤：通过阴极溅射沉积至少一个由选自以下的材料制成的中间层：金属M、金属M氮化物、金属M碳化物和金属M的亚化学计量氧的氧化物，所述中间层不沉积在基于二氧化钛的层的上面或者下面，所述中间层的物理厚度小于或等于30nm；使用热处理氧化所述中间层的至少一部分表面，在该热处理期间使所述中间层与氧化性气氛，特别地与空气直接接触，在所述热处理期间所述基材的温度不超过150℃。

主权项

用于获得一种基材的方法，这种基材在它的至少一部分表面上涂覆有至少一个金属M的氧化物层，该氧化物层的物理厚度小于或等于30nm，所述氧化物层不被包括在含至少一个银层的层堆叠体中，所述方法包括以下步骤：‑通过阴极溅射沉积至少一个由选自以下的材料制成的中间层：金属M、金属M氮化物、金属M碳化物或金属M的亚化学计量氧的氧化物，所述中间层不被沉积在基于二氧化钛的层的上面或者下面，所述中间层的物理厚度小于或等于30nm；‑使用热处理氧化所述中间层的至少一部分表面，在该热处理期间使所述中间层与氧化性气氛，特别地与空气直接接触，在所述热处理期间所述基材的温度不超过150℃。