发明名称 或非闪存中的退化的早期检测
摘要 本公开提供了或非闪存中的退化的早期检测。本公开中的本发明实施例描述了用于通过在读取操作期间估计一组NOR闪存单元的阈值电压(VT′s)的离散度来对在NOR闪存中的退化进行早期报警的技术。在本发明的实施例的NOR闪存设备和操作NOR闪存设备的方法中,存储器单元的读取操作的完成时间(TTC)值用作阈值电压(VT′s)的离散度的代理。如果所测量的TTC离散度与基准离散度值相差大于所选的量,则提供报警信号以指示存储器的页已经显著退化。系统中的更高级组件可以使用报警信号来采取合适的动作。由于可以估计理想分布中每个单元的VT位置,所以来自每个单元的数据可以具有基于与理想分布的平均值的偏差而分配的置信度水平。
申请公布号 CN102568610A 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN201110434872.5 申请日期 2011.12.22
申请人 日立环球储存科技荷兰有限公司 发明人 L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁
分类号 G11C29/50(2006.01)I 主分类号 G11C29/50(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 郭定辉
主权项 一种NOR闪存设备,包括:一组NOR闪存单元;一组测量单元,每个测量单元产生测量信号,该测量信号是在读取操作中存储器单元的完成时间的测量值;和离散度分析器,接收测量信号并确定该组存储器单元的测量信号的当前离散度值,并产生输出信号,该输出信号指示当前离散度值与基准离散度值的差大于阈值量。
地址 荷兰阿姆斯特丹