发明名称 |
一种直流电源热插拔缓启动控制电路及控制方法 |
摘要 |
本发明提供一种直流电源热插拔缓启动控制电路,包括,分立元件缓启动电路、功率电阻电路、MOS管漏源极检测电路,功率电阻电路并联于所述分立元件缓启动电路的MOS管源极、漏极之间;MOS管漏源极检测电路与功率电阻电路、分立元件缓启动电路相连,用于检测所述功率电阻电路的电压值,当所述电压值在设定值范围内时,使分立元件缓启动电路的MOS管导通;当所述电压值超出所述设定值范围时,使分立元件缓启动电路的MOS管截止。本发明提供一种直流电源热插拔缓启动控制方法。本发明可以有效避免MOS被雪崩击穿,同时能有效降低MOS漏源极电压应力,便于其经济选型。 |
申请公布号 |
CN102570785A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010616333.9 |
申请日期 |
2010.12.30 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
蒋思东;钟名华;常月娥;胡海林 |
分类号 |
H02M1/36(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/36(2007.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
李健;龙洪 |
主权项 |
一种直流电源热插拔缓启动控制电路,包括,分立元件缓启动电路,其特征在于,还包括:功率电阻电路、MOS管漏源极检测电路,其中:所述功率电阻电路,并联于所述分立元件缓启动电路的MOS管源极、漏极之间;所述MOS管漏源极检测电路与所述功率电阻电路、分立元件缓启动电路相连,用于检测所述功率电阻电路的电压值,当所述电压值在设定值范围内时,使所述分立元件缓启动电路的MOS管导通;当所述电压值超出所述设定值范围时,使所述分立元件缓启动电路的MOS管截止。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 |