| 发明名称 | 双压印方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双压印方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上形成金属硬掩膜层；采用第一模具对金属硬掩膜层进行压印，压印后的金属硬掩膜层为第一压印图案；在第一压印图案和暴露出来的待刻蚀薄膜之上旋涂深紫外氧化物，并进行硬性烘烤处理；采用第二模具对深紫外氧化物进行压印，压印后的深紫外氧化物为第二压印图案；以第二压印图案作为掩膜，对位于其下的第一压印图案刻蚀，然后将第二压印图案去除，刻蚀后的第一压印图案为第三图案；以第三图案作为掩膜，对待刻蚀薄膜刻蚀。采用本发明公开的方法能够降低在晶片上形成图案的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102566258A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010612440.4 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王新鹏 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种双压印方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上形成金属硬掩膜层；采用第一模具对金属硬掩膜层进行压印，压印后的金属硬掩膜层为第一压印图案；在第一压印图案和暴露出来的待刻蚀薄膜之上旋涂深紫外氧化物，并进行硬性烘烤处理；采用第二模具对深紫外氧化物进行压印，压印后的深紫外氧化物为第二压印图案；以第二压印图案作为掩膜，对位于其下的第一压印图案刻蚀，然后将第二压印图案去除，刻蚀后的第一压印图案为第三图案；以第三图案作为掩膜，对待刻蚀薄膜刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||