| 发明名称 | 用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法，所述方法包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有凹槽；通过第一次选择性外延生长在所述凹槽中形成含碳锗硅应力层；以及通过第二次选择性外延生长在所述含碳锗硅应力层上形成无碳锗硅应力层。根据本发明的方法能够有效地抑制SiGe/Si界面处缺陷的产生，从而能够对沟道区施加适当的压应力并防止PN结漏电流增加，进而有效地改善最终形成的PMOS晶体管的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102569082A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010604327.1 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 叶好华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法，所述方法包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有凹槽；通过第一次选择性外延生长在所述凹槽中形成含碳锗硅应力层；以及通过第二次选择性外延生长在所述含碳锗硅应力层上形成无碳锗硅应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||