| 发明名称 | 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法 | ||
| 摘要 | 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法，涉及微电子技术领域。本发明的刻蚀液以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。本发明的有益效果是，采用本发明刻蚀的含稀土氧化物微波介质薄膜，边缘清晰，侧蚀比小。 | ||
| 申请公布号 | CN102559192A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110455998.0 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杨传仁;张巧真;张继华;陈宏伟;赵强 |
| 分类号 | C09K13/10(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液，其特征在于，以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||