| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：提供具有单元区和外围电路区的衬底，所述单元区要形成垂直层叠的多个存储器单元，所述外围电路区要形成外围电路器件。在单元区和外围电路区的衬底之上形成交替层叠有层间电介质层和栅电极层的栅结构。通过选择性地刻蚀单元区的栅结构来形成沿着一个方向隔离栅电极层的第一沟槽，以及通过与外围电路区的接触形成区相对应地选择性地刻蚀栅结构来形成沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN102569206A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110291627.3 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 洪韺玉 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种制造存储器件的方法，包括以下步骤：在单元区和外围电路区中形成交替层叠有层间电介质层和栅电极层的栅结构；通过选择性地刻蚀所述单元区的栅结构来形成第一沟槽，以沿着一个方向隔离所述栅电极层；以及通过与所述外围电路区的接触形成区相对应地来选择性地刻蚀栅结构来形成第二沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||