| 发明名称 | 磁记录介质和磁记录再生装置 | ||
| 摘要 | 本发明的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次层叠衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的垂直磁记录介质，所述衬里层包含具有非晶结构的软磁性膜，所述基底层包含含有Co和Fe的任一者或两者的NiW合金，该NiW合金中的W的含量为3～10原子％，该NiW合金中的Co和Fe的含量的合计为5原子％以上且低于40原子％，该NiW合金的饱和磁通密度Bs为280emu/cm3以上，该基底层的厚度为2～20nm，所述中间层含有Ru或Ru合金。 | ||
| 申请公布号 | CN102576546A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080046813.4 | 申请日期 | 2010.10.18 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 田中贵士 |
| 分类号 | G11B5/738(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/738(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次层叠衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的垂直磁记录介质，其中，所述衬里层包含具有非晶结构的软磁性膜，所述基底层包含含有Co和Fe的任一者或两者的NiW合金，该NiW合金中的W的含量为3～10原子％，该NiW合金中的Co和Fe的含量的合计为5原子％以上且低于40原子％，该NiW合金的饱和磁通密度Bs为280emu/cm3以上，该基底层的厚度为2～20nm，所述中间层含有Ru或Ru合金。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||