| 发明名称 | 防止晶圆有源区划伤的方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种防止晶圆有源区划伤的方法，其包括步骤：打标机台在产品片晶圆表面打标，形成由若干打标孔形成的晶圆批号；浅沟槽隔离二氧化硅(STI)蚀刻；高浓度等离子体二氧化硅(HDP Oxide)沉积；有源区(SiN)反蚀刻；浅沟槽隔离二氧化硅-化学机械抛光(STI-CMP)；在有源区反蚀刻步骤与浅沟槽隔离二氧化硅-化学机械抛光步骤之间具有水研磨步骤去除打标孔附近的堆积物。本发明防止晶圆有源区划伤的方法通过在有源区反蚀刻步骤之前加入水研磨而避免划伤有源区。 | ||
| 申请公布号 | CN102569012A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010605306.1 | 申请日期 | 2010.12.27 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李健;李文明 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种防止晶圆有源区划伤的方法，其包括以下步骤：在产品片晶圆表面打标，形成由若干打标孔组成的晶圆批号；浅沟槽隔离二氧化硅(STI)蚀刻；高浓度等离子体二氧化硅(HDP Oxide)沉积；有源区(SiN)反蚀刻；浅沟槽隔离二氧化硅‑化学机械抛光(STI‑CMP)；其特征在于：在有源区(SiN)反蚀刻步骤与浅沟槽隔离二氧化硅‑化学机械抛光步骤之间设置用于去除打标孔附近堆积物的水研磨步骤。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||