| 发明名称 | 一种肖特基整流器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于整流器件领域，特别涉及一种沟槽肖特基整流器件，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层；沟槽至少一个侧壁向外倾斜，与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度；该肖特基整流器件有效地缓减了电势的过度集中，提高器件的反向击穿电压；另外本发明还公开了肖特基整流器件的一种制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102569422A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010622193.6 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 严光能 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种肖特基整流器件，其特征在于，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层；沟槽至少一个侧壁向外倾斜，与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||