发明名称 |
单光路半导体吸收型光纤温度传感器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种单光路半导体吸收型光纤温度传感器,包括砷化镓敏感探头、红外LED、输入耦合装置、输出耦合装置、光电三极管、放大电路和显示装置,所述红外LED的光信号输出端通过所述输入耦合装置与所述砷化镓敏感探头的光信号输入端连接,所述砷化镓敏感探头的光信号输出端依次连接所述输出耦合装置、所述光电三极管和所述放大电路后与所述显示装置的输入端连接。砷化镓敏感探头对近红外光的吸收波峰值随温度变化而变化,从而引起透射率随温度变化而变化,本实用新型利用砷化镓敏感探头的这一特性,以红外光为介质,将温度信号转化为电信号,从而实现检测温度的目的,测量精度高,可达0.01℃,并具有良好的稳定性。 |
申请公布号 |
CN202329868U |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201120470074.3 |
申请日期 |
2011.11.23 |
申请人 |
成都酷玩网络科技有限公司 |
发明人 |
肖智宽;于晓晖;胡正东 |
分类号 |
G01K11/32(2006.01)I |
主分类号 |
G01K11/32(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种单光路半导体吸收型光纤温度传感器,其特征在于:包括砷化镓敏感探头、红外LED、输入耦合装置、输出耦合装置、光电三极管、放大电路和显示装置,所述红外LED的光信号输出端通过所述输入耦合装置与所述砷化镓敏感探头的光信号输入端连接,所述砷化镓敏感探头的光信号输出端依次连接所述输出耦合装置、所述光电三极管和所述放大电路后与所述显示装置的输入端连接。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区科园二路1号A楼103B号 |