| 发明名称 | 一种低纯度硅制备单晶棒的方法 | ||
| 摘要 | 一种低纯度硅制备单晶棒的方法，涉及单晶硅的制备领域。本发明的方法包括加料，抽真空，熔化，仔晶浸入，细颈，放肩，等径，冷却，取晶步骤，其特征在于：在等径过程中，在等径体长度为1～500mm时，其平均拉径速度为0.95～1.25mm/min，其上限速度为1.6mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场-1.0～3.0℃；在等径体长度为600～2300mm时，其上限速度为1.30mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场5～120℃。本发明整个工艺及设备提供的动态热场的纵向温度梯度较大，成晶界面较宽，使之能克服材料本身的缺陷，提高引晶成功率及单晶的有效长度，达到95％以上的成晶率。 | ||
| 申请公布号 | CN101660197B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200910112105.5 | 申请日期 | 2009.06.19 |
| 申请人 | 南安市三晶阳光电力有限公司 | 发明人 | 南毅;郑智雄;张伟娜;林霞 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 张松亭 |
| 主权项 | 一种低纯度硅制备单晶棒的方法，包括加料，抽空，熔化，充氩气，仔晶浸入，细颈，放肩，等径，冷却，取晶步骤，其特征在于：在等径过程中，在等径体长度为1～500mm时，其平均拉径速度为0.95～1.25mm/min，其上限速度为1.6mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场‑1.0～3.0℃；在等径体长度为600～2300mm时，其上限速度为1.30mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场5～120℃，其中，所述的低纯度硅纯度为99.99％以上。 | ||
| 地址 | 362000 福建省南安市霞美光伏电子信息产业园 | ||