在半导体器件中形成微图案的方法

摘要

一种在半导体器件中形成微图案的方法，包括：在蚀刻目标层上形成硬掩模层和牺牲层；在所述牺牲层中形成具有孔形状的多个开口；在所述开口的内侧壁上形成间隔物，以在所述开口内形成第一孔图案；使用所述间隔物来蚀刻在所述开口的侧壁外部的所述牺牲层，使得部分保留第一区域中的所述牺牲层并移除第二区域中的所述牺牲层，以形成第二孔图案，其中所述第一区域小于所述第二区域；以及使用所述余留牺牲层及所述间隔物(包括所述第一和第二孔图案)，蚀刻所述硬掩模层。

主权项

一种在半导体器件中形成微图案的方法，包括：在蚀刻目标层上形成硬掩模层和牺牲层；在所述牺牲层中形成具有孔形状的多个开口；所述开口的内侧壁上形成间隔物，以在所述开口内形成第一孔图案；使用所述间隔物来蚀刻在所述开口的侧壁外部的所述牺牲层，使得部分保留第一区域中的所述牺牲层并移除第二区域中的所述牺牲层，从而形成第二孔图案，其中所述第一区域小于所述第二区域；和使用包括所述第一和第二孔图案的所述余留牺牲层和所述间隔物蚀刻所述硬掩模层；其中所述牺牲层相对于所述硬掩模层和所述间隔物具有蚀刻选择性；并且其中所述第一区域为所述牺牲层的在间隔物之间的间隔距离相对小的部分，所述第二区域为所述牺牲层的在间隔物之间的间隔距离相对大的部分。