硅片上被对准层图形的形成方法

摘要

本发明公开了一种被对准层图形的形成方法，第1步，在硅衬底上先淀积一层第一介质层，再光刻形成刻蚀窗口；第2步，在刻蚀窗口中刻蚀出沟槽；第3步，先在沟槽的侧壁和底部淀积一层氧化硅作为衬垫氧化层，再在硅片表面淀积一层层间介质，所述层间介质至少将沟槽填充满；第4步，采用化学机械研磨工艺研磨层间介质；第5步，采用湿法腐蚀工艺去除第一介质层，硅片表面在原沟槽部位再次形成沟槽；第6步，在硅片表面先淀积一层多晶硅，再淀积一层第二介质层；所淀积多晶硅的上表面具有下凹台阶，即为被对准层图形。本发明可以节省被对准层图形的制造工艺、制造时间，并能使光刻机更清晰地辨别出硅片上的被对准层图形。

主权项

一种硅片上被对准层的形成方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在硅衬底上先淀积一层第一介质层，再光刻形成刻蚀窗口；第2步，在刻蚀窗口中刻蚀出沟槽，沟槽的底部落在硅衬底中，刻蚀完成后去除光刻胶；第3步，先在沟槽的侧壁和底部淀积一层氧化硅作为衬垫氧化层，再在硅片表面淀积一层层间介质，所述层间介质至少将沟槽填充满；第4步，采用直接化学机械研磨工艺研磨层间介质，直至层间介质与第一介质层上表面齐平；第5步，采用湿法腐蚀工艺去除第一介质层，此时部分的衬垫氧化层和层间介质也被去除，硅片表面在原沟槽部位再次形成沟槽；第6步，在硅片表面先淀积一层多晶硅，再淀积一层第二介质层；所淀积多晶硅的上表面具有下凹台阶，即为被对准层图形；该下凹台阶与第5步形成的沟槽在位置上上下对应；所述多晶硅作为硅片上新的一层图形的材料，用于进行新的一层图形的光刻。