发明名称 |
MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法 |
摘要 |
MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法,属于光电子信息领域,主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。步骤一 将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室;步骤二R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟;步骤三R面蓝宝石衬底传入生长室,在生长温度400-500℃下生长第一层2-10nm厚的MgxZn1-xO过渡层,其中X=0.16-0.20;接着在相同生长温度下生长第二层2-10nm厚的MgyZn1-yO过渡层,其中Y=0.26-0.40;步骤四 在生长温度400-500℃下,生长MgZZn1-ZO薄膜,其中Z=0.43-0.55;步骤五在MgZZn1-ZO薄膜上,制备厚度100-150nm的金属电极,其中金属材料是Al、Au、Pt。制备工艺简单、成本低。 |
申请公布号 |
CN102569483A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201110427751.8 |
申请日期 |
2011.12.19 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
张希清;刘凤娟;胡佐富;黄海琴;王永生 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京市商泰律师事务所 11255 |
代理人 |
毛燕生 |
主权项 |
一种MgZnO日盲光敏电阻器,其特征在于:MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长低组份Mg的第一层MgxZn1‑xO过渡层、第二层MgyZn1‑yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1‑ZO薄膜和电极。 |
地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |